美国Pyrometer公司供应发射率测量红外温度计Optitherm III

OptithermIII红外温度计温度测量系统使用光纤和新的脉冲激光红外技术，在CVD、MBE、MOCVD或溅射应用中的原位外延生长过程中测量单个或多个晶片的温度。当所有无源红外温度计测量目标辐射温度时，Optitherm可动态确定镜面目标的发射率值，从而使晶圆温度测量精度达到±3°C，用于温度控制。

Optitherm采用主动反射计技术来确定目标发射率（E%）和真实温度（Te）。这是通过在与红外辐射温度测量相同的时间、位置和波长自动测量目标镜面反射率来实现的，以确定真实的晶片温度。微处理器以极快的1ms数据采集速率收集这些值，并将数据传输到主机PC，用于温度计算、数据记录和即时过程温度控制。

Optitherm红外技术可应用于各种现场半导体应用中，包括生产工具、晶圆加工、精确温度测量至关重要的研发。Optitherm的其他工艺制造应用包括晶圆旋转和速度、晶圆对准（错位）和工艺故障操作条件。

产品特点

半导体晶片温度测量

非接触式红外温度计

自动测量温度和发射率

温度范围：250°C–1500°C

温度精度：±3°C

6种可用光谱波长：808、850、905、940、，

980和1550nm

数据采集速率达到1ms

数字RS232 PC接口

每秒向主机输出70个读数

目标光斑尺寸0.25英寸及以上

光纤传感器温度测量

其他工艺应用包括晶圆旋转

速度和工艺操作故障条件

产品应用

•半导体晶片温度测量

•提高晶圆制造和制造的经济性和质量控制

•晶圆的生产、研发

•监测生长速率和层厚度

•外延生长的温度测量：

CVD反应器

MBE反应堆

MOCVD反应器

•镜面目标和衬底

•工艺故障条件，包括晶圆旋转、速度、对准和定位优势

•测量层生长过程中快速变化的发射率，提供准确的温度测定

•基于目标材料特性的波段选择

•可现场校准发射率通道

•快速响应时间兼容的基板

•硅•碳化硅•氮化硅•砷化铟•砷化镓•氮化镓

•磷化铟•锗•高度抛光金属